V680S-serie D1KP58HTN RF-tag (1 K-byte hukommelse med høj temperaturbestandighed) V680-D1KP58HTN
V680-D1KP58HTNHukommelseskapacitet1.000 byte (brugerområde)HukommelsestypeEEPROMDatabevarelse10 år efter skrivning (85 °C eller derunder), 0,5 år efter skrivning (85 °C til 125 °C) Total databevarelse ved høje temperaturer over 125 °C er 10 timer *1Skriv Endura...
- Overview
- Related Products
V680-D1KP58HTN |
|
Hukommelseskapacitet |
1.000 byte (brugerområde) |
Hukommelsestype |
EEPROM |
Dataopbevaring |
10 år efter skrivning (85 °C eller lavere), 0,5 år efter skrivning (85 °C til 125 °C) Total dataopbevaring ved høje temperaturer over 125 °C er 10 timer *1 |
Skriv udholdenhed |
100.000 skrivninger for hver blok (25 °C) |
Omgivende driftstemperatur (under transmission) |
−25 til 85 °C (uden isdannelse) |
Omgivende opbevaringstemperatur (under databackup) |
−40 til 250 °C (uden isdannelse) *2 (Dataopbevaring: −40 til 125 °C) 1. 2.000 cyklusser à 30 minutter hver mellem stuetemperatur og 200 °C 2. 500 timer ved 250 °C |
Oplagringsfugtighed i omgivelserne |
Ingen begrænsninger |
Beskyttelsesgrad |
IP67 (IEC 60529:2001) Olieresistens svarende til IP67G (JIS C 0920:2003, Bilag 1) |
Vibrationsmodstand |
Ingen unormalitet efter påsætning af 10 til 2.000 Hz, 1,5 mm dobbel amplitude, acceleration: 150 m/s2, 10 scanninger hver i X, Y og Z retninger i 15 minutter hver |
Stødbestandighed |
Ingen unormalitet efter påsætning af 500 m/s2, 3 gange hver i X, Y og Z-retninger (I alt: 18 gange) |
Produktkategorier





