V680S-serie D1KP58HTN RF-tag (1 K-byte hukommelse med høj temperaturbestandighed) V680-D1KP58HTN
V680-D1KP58HTNHukommelseskapacitet1.000 byte (brugerområde)HukommelsestypeEEPROMDatabevarelse10 år efter skrivning (85 °C eller derunder), 0,5 år efter skrivning (85 °C til 125 °C) Total databevarelse ved høje temperaturer over 125 °C er 10 timer *1Skriv Endura...
- Overview
- Related Products
V680-D1KP58HTN |
|
Hukommelseskapacitet |
1.000 byte (brugerområde) |
Hukommelsestype |
EEPROM |
Dataopbevaring |
10 år efter skrivning (85 °C eller lavere), 0,5 år efter skrivning (85 °C til 125 °C) Total dataopbevaring ved høje temperaturer over 125 °C er 10 timer *1 |
Skriv udholdenhed |
100.000 skrivninger for hver blok (25 °C) |
Omgivende driftstemperatur (under transmission) |
−25 til 85 °C (uden isdannelse) |
Omgivende opbevaringstemperatur (under databackup) |
−40 til 250 °C (uden isdannelse) *2 (Dataopbevaring: −40 til 125 °C) 1. 2.000 cyklusser à 30 minutter hver mellem stuetemperatur og 200 °C 2. 500 timer ved 250 °C |
Oplagringsfugtighed i omgivelserne |
Ingen begrænsninger |
Beskyttelsesgrad |
IP67 (IEC 60529:2001) Olieresistens svarende til IP67G (JIS C 0920:2003, Bilag 1) |
Vibrationsmodstand |
Ingen unormalitet efter påsætning af 10 til 2.000 Hz, 1,5 mm dobbel amplitude, acceleration: 150 m/s2, 10 scanninger hver i X, Y og Z retninger i 15 minutter hver |
Stødbestandighed |
Ingen unormalitet efter påsætning af 500 m/s2, 3 gange hver i X, Y og Z-retninger (I alt: 18 gange) |
Produktkategorier







EN
AR
BG
HR
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LV
LT
SR
SK
SL
UK
VI
SQ
ET
GL
HU
TH
TR
FA
MS









