Serie V680S D1KP58HTN Etiqueta RF (Memoria de 1 K-byte con capacidad de alta temperatura) V680-D1KP58HTN
V680-D1KP58HTNCapacidad de memoria1,000 bytes (área de usuario)Tipo de memoriaEEPROMRetención de datos10 años después de la escritura (a 85 °C o menos), 0.5 año después de la escritura (a 85 °C a 125 °C) La retención total de datos a altas temperaturas superiores a 125 °C es de 10 horas *1Durabilidad de escritu...
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V680-D1KP58HTN |
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Capacidad de memoria |
1.000 bytes (área de usuario) |
Tipo de memoria |
EEPROM |
Retención de datos |
10 años después de la escritura (85 °C o menos), 0,5 años después de la escritura (85 °C a 125 °C) Retención total de datos a altas temperaturas superiores a 125 °C es de 10 horas *1 |
Escriba la resistencia |
100.000 escrituras por bloque (25 °C) |
Temperatura ambiente de funcionamiento (durante la transmisión) |
−25 a 85 °C (sin formación de hielo) |
Temperatura ambiente de almacenamiento (durante la copia de seguridad) |
−40 a 250 °C (sin formación de hielo) *2 (Retención de datos: −40 a 125 °C) 1. 2.000 ciclos de 30 minutos cada uno entre temperatura ambiente y 200 °C 2. 500 horas a 250 °C |
Humedad de almacenamiento ambiente |
Sin restricciones |
Grado de protección |
IP67 (IEC 60529:2001) Resistencia al aceite equivalente a IP67G (JIS C 0920:2003, Apéndice 1) |
Resistencia a las vibraciones |
Ninguna anomalía después de aplicar 10 a 2.000 Hz, amplitud doble de 1,5 mm, aceleración: 150 m/s2, 10 barridos en cada eje X, Y y Z direcciones durante 15 minutos cada una |
Resistencia a los golpes |
Ninguna anomalía después de aplicar 500 m/s2, 3 veces en cada dirección X, Y y Z (Total: 18 veces) |
Categorías de Producto







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