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Série V680S Étiquette RF D1KP58HTN (Mémoire 1 Ko avec fonctionnement haute température) V680-D1KP58HTN
V680-D1KP58HTNCapacité de mémoire1 000 octets (zone utilisateur)Type de mémoireEEPROMConservation des données10 ans après l'écriture (jusqu'à 85 °C), 0,5 an après l'écriture (85 °C à 125 °C) La conservation totale des données à des températures supérieures à 125 °C est de 10 heures *1Durée de vie en écriture...
- Overview
- Related Products
V680-D1KP58HTN |
|
Capacité mémoire |
1 000 octets (zone utilisateur) |
Type de mémoire |
EEPROM |
Rétention des données |
10 ans après l'écriture (85 °C ou moins), 0,5 an après l'écriture (85 °C à 125 °C) La rétention totale des données à des températures supérieures à 125 °C est de 10 heures *1 |
Écrivez l'endurance |
100 000 écritures par bloc (25 °C) |
Température ambiante de fonctionnement (durant la transmission) |
−25 à 85 °C (sans givrage) |
Température ambiante de stockage (durant la sauvegarde des données) |
−40 à 250 °C (sans givrage) *2 (Rétention des données : −40 à 125 °C) 1. 2 000 cycles de 30 minutes chacun entre température ambiante et 200 °C 2. 500 heures à 250 °C |
Humidité de stockage ambiante |
Aucune restriction |
Degré de protection |
IP67 (IEC 60529:2001) Résistance à l'huile équivalente à IP67G (JIS C 0920:2003, Annexe 1) |
Résistance aux Vibrations |
Aucun défaut après application de 10 à 2 000 Hz, amplitude double de 1,5 mm, accélération : 150 m/s2, 10 balayages chacun dans les directions X, Y et Z dans chaque direction pendant 15 minutes |
Résistance aux chocs |
Aucun défaut après application de 500 m/s2, 3 fois chacune dans les directions X, Y et Z (Total : 18 fois) |
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