Serie V680S D1KP58HTN Etiqueta RF (Memoria de 1 K-byte con capacidade de alta temperatura) V680-D1KP58HTN
V680-D1KP58HTN Capacidade de memoria 1.000 bytes (área de usuario) Tipo de memoria EEPROM Retención de datos 10 anos despois da escritura (a 85 °C ou menos), 0,5 anos despois da escritura (a 85 °C a 125 °C) A retención total dos datos a altas temperaturas superiores a 125 °C é de 10 horas *1 Durabilidade da escritura...
- Overview
- Related Products
V680-D1KP58HTN |
|
Capacidade de memoria |
1.000 bytes (área de usuario) |
Tipo de memoria |
EEPROM |
Retención de datos |
10 anos despois da escritura (85 °C ou menos), 0,5 anos despois da escritura (85 °C a 125 °C) A retención total de datos a altas temperaturas superiores a 125 °C é de 10 horas *1 |
Resistencia á escritura |
100.000 escrituras por bloque (25 °C) |
Temperatura ambiente de funcionamento (durante a transmisión) |
−25 a 85 °C (sen formación de xeo) |
Temperatura ambiente de almacenamento (durante a copia de seguridade dos datos) |
−40 a 250 °C (sen formación de xeo) *2 (Retención de datos: −40 a 125 °C) 1. 2.000 ciclos de 30 minutos cada un entre temperatura ambiente e 200 °C 2. 500 horas a 250 °C |
Humedade ambiente de almacenamento |
Sen restricións |
Grao de protección |
IP67 (IEC 60529:2001) Resistencia ao aceite equivalente a IP67G (JIS C 0920:2003, Apéndice 1) |
Resistencia á vibración |
Sen anormalidade despois da aplicación de 10 a 2.000 Hz, amplitude dupla de 1,5 mm, aceleración: 150 m/s2, 10 barridos cada un en X, Y e Z direccións durante 15 minutos cada unha |
Resistencia ao impacto |
Sen anormalidade despois da aplicación de 500 m/s2, 3 veces cada unha nas direccións X, Y e Z (Total: 18 veces) |
Categorías de Produto







EN
AR
BG
HR
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LV
LT
SR
SK
SL
UK
VI
SQ
ET
GL
HU
TH
TR
FA
MS









