All Categories

OUTROS

Serie V680S D1KP58HTN Etiqueta RF (Memoria de 1 K-byte con capacidade de alta temperatura) V680-D1KP58HTN

V680-D1KP58HTN Capacidade de memoria 1.000 bytes (área de usuario) Tipo de memoria EEPROM Retención de datos 10 anos despois da escritura (a 85 °C ou menos), 0,5 anos despois da escritura (a 85 °C a 125 °C) A retención total dos datos a altas temperaturas superiores a 125 °C é de 10 horas *1 Durabilidade da escritura...
  • Overview
  • Related Products
V680-D1KP58HTN
Capacidade de memoria
1.000 bytes (área de usuario)
Tipo de memoria
EEPROM
Retención de datos
10 anos despois da escritura (85 °C ou menos), 0,5 anos despois da escritura (85 °C a 125 °C) A retención total de datos a altas temperaturas superiores a 125 °C é de 10 horas *1
Resistencia á escritura
100.000 escrituras por bloque (25 °C)
Temperatura ambiente de funcionamento (durante a transmisión)
−25 a 85 °C (sen formación de xeo)
Temperatura ambiente de almacenamento (durante a copia de seguridade dos datos)
−40 a 250 °C (sen formación de xeo) *2 (Retención de datos: −40 a 125 °C) 1. 2.000 ciclos de 30 minutos cada un entre temperatura ambiente e
200 °C 2. 500 horas a 250 °C
Humedade ambiente de almacenamento
Sen restricións
Grao de protección
IP67 (IEC 60529:2001) Resistencia ao aceite equivalente a IP67G (JIS C 0920:2003, Apéndice 1)
Resistencia á vibración
Sen anormalidade despois da aplicación de 10 a 2.000 Hz, amplitude dupla de 1,5 mm, aceleración: 150 m/s2, 10 barridos cada un en X, Y e Z
direccións durante 15 minutos cada unha
Resistencia ao impacto
Sen anormalidade despois da aplicación de 500 m/s2, 3 veces cada unha nas direccións X, Y e Z (Total: 18 veces)
Categorías de Produto

Obter unha cotización gratuíta

O noso representante porase en contacto contigo en breve.
Correo Electrónico
Nome
Nome da empresa
Mensaxe
0/1000
Facebook Facebook Wechat  Wechat
Wechat
Whatsapp  Whatsapp
Whatsapp
Volver á parte superiorVolver á parte superior
Newsletter
Please Leave A Message With Us