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V680S 시리즈 D1KP58HTN RF 태그(고온 내성, 1K-바이트 메모리) V680-D1KP58HTN

V680S 시리즈 D1KP58HTN RF 태그(고온 내성, 1K-바이트 메모리) V680-D1KP58HTN

V680-D1KP58HTN 메모리 용량 1,000바이트(사용자 영역) 메모리 유형 EEPROM 데이터 보존 기간 기록 후 10년(85°C 이하), 기록 후 0.5년(85°C～125°C) 고온(125°C 초과)에서의 총 데이터 보존 시간은 10시간 *1 쓰기 내구성...

Overview
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	V680-D1KP58HTN
메모리 용량	1,000바이트(사용자 영역)
메모리 타입	EEPROM
데이터 보존	기록 후 10년(85°C 이하), 기록 후 0.5년(85°C ~ 125°C) 고온(125°C 초과)에서의 총 데이터 보존 시간은 10시간 *1
인내 를 기록 하라	각 블록당 100,000회 기록(25°C)
동작 환경 온도(데이터 전송 중)	−25 ~ 85°C(결빙 없을 것)
보관 환경 온도(데이터 백업 중)	−40 ~ 250°C(결빙 없을 것) *2(데이터 보존: −40 ~ 125°C) 1. 상온과 교번하여 30분 간 2,000회 사이클 200 °C 2. 500시간 250 °C
주변 온도 저장 습도	제한 없음
보호 정도	IP67 (IEC 60529:2001) IP67G와 동등한 내유성(JIS C 0920:2003, 부록 1)
진동 저항	10~2,000Hz, 1.5mm 이중 진폭, 가속도: 150m/s2를 X, Y, Z축 방향별로 각 10회씩 적용 후 이상 없음 각 방향별 15분간 적용 후 이상 없음
충격 저항성	X, Y, Z축 방향별로 각 3회씩 500m/s2 적용 후 이상 없음 (총 18회)