V680S-serie D1KP58HTN RF-tag (1K-byte minne med høytemperaturkapasitet) V680-D1KP58HTN
V680-D1KP58HTN Minnekapasitet 1 000 byte (brugerområde) Minnetype EEPROM Dataopbevaring 10 år etter skriving (85 °C eller lavere), 0,5 år etter skriving (85 °C til 125 °C) Total dataopbevaring ved høye temperaturer over 125 °C er 10 timer *1 Skrivningsslut...
- Overview
- Related Products
V680-D1KP58HTN |
|
Minnekapasitet |
1 000 byte (brugerområde) |
Hukommelsestype |
EEPROM |
Dataopbevaring |
10 år etter skriving (85 °C eller lavere), 0,5 år etter skriving (85 °C til 125 °C) Total dataopbevaring ved høye temperaturer over 125 °C er 10 timer *1 |
Skriv ut uthalden |
100 000 skriveoperasjoner per blokk (25 °C) |
Omgivende driftstemperatur (under overføring) |
−25 til 85 °C (uten isdannelse) |
Omgivende lagringstemperatur (under databakovering) |
−40 til 250 °C (uten isdannelse) *2 (Dataopbevaring: −40 til 125 °C) 1. 2 000 sykluser à 30 minutter hver mellom romtemperatur og 200 °C 2. 500 timer ved 250 °C |
Omgivelseslagring av fuktighet |
Ingen begrensninger |
Skyttegrad |
IP67 (IEC 60529:2001) Oljeresistens tilsvarende IP67G (JIS C 0920:2003, Vedlegg 1) |
Vibrasjonsmotstand |
Ingen unormalitet etter påføring av 10 til 2 000 Hz, 1,5 mm dobbel amplitude, akselerasjon: 150 m/s2, 10 scanninger i hver retning X, Y og Z retninger i 15 minutter hver |
Skokresistens |
Ingen unormalitet etter påføring av 500 m/s2, 3 ganger hver i X, Y og Z-retninger (Totalt: 18 ganger) |
PRODUKTKATEGORIER







EN
AR
BG
HR
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LV
LT
SR
SK
SL
UK
VI
SQ
ET
GL
HU
TH
TR
FA
MS









