ALLA PRODUKTER

V680S-serien D1KP58HTN RF-tagg (1 K-byte-minne med hög temperaturbeständighet) V680-D1KP58HTN

V680S-serien D1KP58HTN RF-tagg (1 K-byte-minne med hög temperaturbeständighet) V680-D1KP58HTN

V680-D1KP58HTNMinneskapacitet1 000 byte (användarområde)Typ av minneEEPROMDatabevaring10 år efter skrivning (vid 85 °C eller lägre), 0,5 år efter skrivning (vid 85 °C till 125 °C) Total databevaring vid höga temperaturer över 125 °C är 10 timmar *1Skrivningsslut...

Overview
Related Products

	V680-D1KP58HTN
Minneskapacitet	1 000 byte (användarområde)
Minnestyp	EEPROM
Uppgiftsbevarande	10 år efter skrivning (vid 85 °C eller lägre), 0,5 år efter skrivning (vid 85 °C till 125 °C) Total databevaring vid temperaturer över 125 °C är 10 timmar *1
Skriv uthållighet	100 000 skrivningar per block (25 °C)
Omgivningstemperatur vid drift (under överföring)	−25 till 85 °C (utan isbildning)
Lagringstemperatur (vid databackup)	−40 till 250 °C (utan isbildning) *2 (Databevaring: −40 till 125 °C) 1. 2 000 cykler à 30 minuter vardera mellan rumstemperatur och 200 °C 2. 500 timmar vid 250 °C
Förvaringsfuktighet i omgivningen	Inga restriktioner
Skyddsnivå	IP67 (IEC 60529:2001) Oljeresistens motsvarande IP67G (JIS C 0920:2003, Bilaga 1)
Vibrationsresistens	Ingen onormalitet efter applicering av 10 till 2 000 Hz, 1,5 mm dubbel amplitud, acceleration: 150 m/s2, 10 cykler i vardera riktningen X, Y och Z riktningar i 15 minuter vardera
Stötbeständighet	Ingen onormalitet efter applicering av 500 m/s2, 3 gånger vardera i X-, Y- och Z-riktningar (Totalt: 18 gånger)